Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
ABNT
LOPES, Karina Carvalho. Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados como o método de deposição assistida por feixe de íons. 2008. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2008. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30032009-142130/. Acesso em: 30 abr. 2024.APA
Lopes, K. C. (2008). Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados como o método de deposição assistida por feixe de íons (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30032009-142130/NLM
Lopes KC. Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados como o método de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30032009-142130/Vancouver
Lopes KC. Fabricação e caracterização de filmes semicondutores de InN depositados como o método de deposição assistida por feixe de íons [Internet]. 2008 ;[citado 2024 abr. 30 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-30032009-142130/